富士電機ホールディングス(
東京都品川区)は28日、クダ州クリムにパワー半導体(IGBT)工場を新設すると発表した。150ミリ薄ウエハーラインの前工程とモジュール組み立ての後工程ラインを設置する。前工程のウエハープロセスを海外に設置するのは今回が初めて。このほか長野県でも設備を増強し、IGBTモジュールの生産能力をグループ全体で2010年までに約2倍に引き上げる。
マレーシアでは現在、ハードディスク(HD)を生産している。新施設は既存工場の敷地内に設置する。IGBTの前工程は09年4月から月産5,000枚(150ミリウエハー換算)で量産を開始し、同年10月までに同1万5,000枚へと段階的に引き上げる。このほか長野県の松本工場でも前工程の生産能力を拡大し、年内に月産4,000枚の追加生産を開始。
これによりグルール全体のIGBT薄ウエハー生産能力は、これまでの約2倍の3万9,000枚となる。
マレーシアでの後工程は、08年4月から月産5万個で量産を開始。10年4月までに同30万個に増やす予定だ。長野県大町市の工場でも先月、月産10万個の増産を開始しており、来年1月にもさらに10万個増やす。産業用IGBTモジュールの生産能力を全体で今年4〜6月期の月産60万個から10年4月までに同110万個に引き上げたい考えだ。今回の工場新設・増強に伴う
投資額は計280億円。
マレーシアの新工場について、同社はNNAの取材に対し、「後工程の設備は比較的すぐに整備できる。一方で前工程は精密機器などを設置するなど生産体制を整えるのに時間がかかるため、後工程より稼働開始が遅くなる...
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